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3D系統封裝 躍登下世代主流

工商時報/科 技2/A13版   / 涂志豪/台北報導

受制於三二奈米以下先進製程的微影技術關鍵製程難有重大突破,原本以二年為世代週期的摩爾定律,未來在三二奈米以下的世代交替週期時間恐得拉長,因此全球主要半導體廠均開始尋求新的解決方案。在10/01舉行的IMPACT2007國際構裝技術研討會中,與會業者已對三D系統封裝技術躍居主流有所共識,其中IBM、三星、台積電、日月光等大廠著手佈建的三D直通矽晶穿孔(3D-TSV)技術更是備受重視。 極紫外光微影設備仍太貴
雖然微影設備大廠ASML與半導體先進技術獨立研發中心IMEC合作,已成功利用極紫外光(EUV)微影設備,試產出三二奈米十二吋晶圓,不過因EUV設備仍然太過昂貴,加上三二奈米以下製程微縮的投資金額,是九○奈米的三倍至四倍左右,所以國內外半導體大廠一邊進行「去瓶頸化」研發動作,希望利用現有浸潤式(immersion)設備生產三二奈米晶片,另外則開始尋求新的解決方案,以紓解摩爾定律週期拉長帶來的過高成本問題。 摩爾定律週期拉長抬高成本
由於近年來熱銷的手機走上低價位、多功能的方向,整合型晶片的重要性日增,但包括高通、德儀在內的手機晶片大廠,除了已開始採用六五奈米或四五奈米先進製程,將多種手機功能整合在單晶片上,現在亦開始考量採用三D系統封裝技術。而在IBM及三星於今年中旬陸續對外宣佈,已成功利用三D直通矽晶穿孔技術,發展出低成本的整合型晶片或高容量記憶體時,更代表三D系統封裝技術已趨於成熟,並將擔起未來五年半導體市場整合晶片的重要角色。 10/01參加IMPACT2007國際構裝技術研討會的業者,已對三D系統封裝技術成為整合型晶片主流製程有一定共識。業者表示,以三D直通矽晶穿孔技術來看,不僅可讓處理器功率大幅下降二成以上,同時也能縮短晶片設計時間,將被動元件、記憶體、邏輯晶片、類比晶片等全數封裝成一個單晶片;再者,以往快取記憶體佔了CPU大部份面積,但採用三D系統封裝後,處理器能與SRAM直接進行高頻寬互連,就不需要內部快取記憶體,自然可以大幅縮小晶片尺寸。 台積電、日月光動作積極
正因為三D系統封裝的重要性與日俱增,除了IBM及三星等國際大廠宣佈投入外,國內晶圓代工大廠台積電、封測大廠日月光等,也對三D系統封裝開始積極佈局,台積電宣佈擴大對後段封測廠精材的投資就是一例。業者現在已有許多三D封裝技術完成開發及量產。 更多新聞請看「工商時報

資料來源 摘自:全球華文行銷知識庫

資料來源 :1758網誌

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